ナノカーボン系エネルギー材料合成分野
支援概要
任意の基板上へのカーボンナノファイバー（CNF）、あるいは、金属ドープCNFの室温合成と、これをテンプレートとした針状ナノ構造高密度表面加工の支援を行います。
カーボンナノチューブ(CNT)、カーボンナノファイバー(CNF)等の1次元カーボンナノ材料は、通常、気相法により合成され、高温（500℃以上）を必要とします。然しながら、幅広い応用、とりわけ、プラスチックを基板とするフレキシブルデバイスへの応用に鑑みれば、極力低温、理想的には室温での合成法の確立は急務です。
近年、我々は、従来法とはその合成原理を全く異にするイオン照射法によって、プラスチックを始めとする任意の基板上に、触媒金属を一切必要とせず、室温で CNF が大量合成可能であることを見出しました。現在、このイオン誘起CNFを利用し、電子源応用（フレキシブルディスプレイ応用）、走査プローブ顕微鏡探針応用等の応用展開中です。
本支援では、任意の基板上へのCNFの室温合成を行うとともに、金属粒子を供給しながらイオン誘起CNF合成を行うことで金属ドープCNF（あるいは炭素－金属ナノコンポジットファイバー）の合成を行います。更には、それら室温合成CNFをテンプレートとして用い、試料表面に針状ナノ構造を高密度に形成するナノ表面加工処理を行います。
担当者
種々の基板表面へのカーボンナノファイバーの室温合成、高分子材料表面へのナノカーボンの室温形成支援を行うと共に、グラフェンをはじめとする高結晶性ナノカーボンの低温合成および有機半導体との融合デバイスの開発支援、エネルギー関連デバイス評価支援を行います。また、新規ナノ材料について、プローブ機能を有する特型電子顕微鏡等を用いた精密物性評価（電気的、機械的、形状、結晶性等）支援を実施します。
